Memoria a cambiamento di fase (PCM, Phase Change Memory): Intel e Numonyx annunciano importanti traguardi
Intel Corporation e Numonyx B.V. hanno annunciato un passo avanti significativo nella ricerca nel campo della memoria a cambiamento di fase (PCM, Phase Change Memory), una nuova tecnologia di memoria non volatile, che combina molti dei vantaggi dei vari tipi di memoria oggi disponibili. Per la prima volta i ricercatori hanno presentato un chip di testing da 64 Mb che offre la possibilità di collocare più strati di array di PCM in un singolo die (stack). Questa scoperta prepara il terreno per la creazione di dispositivi di memoria con una maggiore capacità, un consumo energetico ridotto e un risparmio di spazio per le RAM (Random Access Memory) non volatili e le applicazioni di storage.
Questi risultati sono stati ottenuti tramite un programma di ricerca avviato in collaborazione da Numonyx e Intel, con l’obiettivo di studiare gli array di celle PCM a più strati (stacked). I ricercatori Intel e Numonyx sono ora in grado di dare dimostrazione di una cella di memoria integrata in verticale – denominata PCMS, Phase Change Memory and Switch – costituita da un elemento PCM disposto in strati con uno switch OTS (Ovonic Threshold Switch) mai utilizzato finora in un array crosspoint. La possibilità di disporre in strati array di PCMS offre la scalabilità per aumentare le densità della memoria preservando le caratteristiche prestazionali del prodotto PCM, una sfida sempre più difficile da affrontare con le tradizionali tecnologie di memoria.
“Continuiamo a sviluppare le basi della tecnologia della memoria allo scopo di realizzare progressi con la piattaforma informatica”, ha commentato Al Fazio, Intel Fellow e Director del Memory Technology Development. “Siamo incoraggiati dal risultato raggiunto nella ricerca e consideriamo le future tecnologie della memoria, come PCMS, fondamentali per ampliare il ruolo della memoria nelle soluzioni informatiche e per espandere le funzionalità in termini di prestazioni e scalabilità”.
“I risultati sono estremamente promettenti”, ha dichiarato Greg Atwood, Senior Technology Fellow di Numonyx. “Dimostrano infatti le potenzialità disponibili per lo sviluppo di array scalabili e ad alta densità e di modelli di utilizzo simili a NAND per i prodotti PCM nel futuro. Si tratta di un aspetto importante, in quanto le tradizionali tecnologie della memoria flash incontrano determinati limiti fisici e problemi di affidabilità, anche se la domanda di memoria continua a crescere in tutti i segmenti, dai telefoni cellulari ai data center”.
Le celle di memoria vengono realizzate sovrapponendo un elemento di storage e un selettore, con diverse celle che creano array di memoria. I ricercatori Intel e Numonyx sono invece stati in grado di impiegare un OTS a due terminali a film sottile come selettore, rispettando le proprietà fisiche ed elettriche per la scalabilità del prodotto PCM. Con la compatibilità della tecnologia PCMS a film sottile sono ora possibili più strati di array di memoria crosspoint.
Una volta integrati tra loro e incorporati in un array crosspoint, gli array in strati vengono combinati con circuiti CMOS per le funzioni di decodifica, rilevamento e logica.
Ulteriori informazioni sulla cella di memoria, l’array crosspoint, l’esperimento e i risultati verranno pubblicate in un documento intitolato “A Stackable Cross Point Phase Change Memory” che verrà presentato nel corso dell’edizione 2009 dell’International Electron Devices Meeting a Baltimora, Maryland, il 9 dicembre. Gli autori del documento sono esperti di tecnologia di Intel e Numonyx, mentre la presentazione sarà a cura di DerChang Kau, Intel Senior Principal Engineer.
